摘要:微電子技術(shù)的發(fā)展帶動了半導(dǎo)體器件的發(fā)展,半導(dǎo)體器件的進步促使器件截止頻率得到飛速提升,目前已達到太赫茲頻段,這使得基于固態(tài)器件的太赫茲電路頻率特性也隨之發(fā)展到太赫茲頻段。本文重點闡述了太赫茲電路的發(fā)展概況,詳細概述了InP基雙極器件和場效應(yīng)器件頻率特性、應(yīng)用,以及太赫茲電路在系統(tǒng)中實際應(yīng)用中的發(fā)展現(xiàn)狀和展望。
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電子科學(xué)技術(shù)雜志, 雙月刊,本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向,堅持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進性、創(chuàng)新性,刊載內(nèi)容涉及的欄目:基礎(chǔ)電子與技術(shù)、整機與系統(tǒng)、軟件與安全、網(wǎng)絡(luò)與通信、信息物理系統(tǒng)、綜述評論等。于2014年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。