摘要：介紹了一種應用于GaN驅動的0.35μm HV CMOS工藝的高速、高共模噪聲抗擾的電平位移電路。該電路采用高速電流鏡和雙鎖存結構,并增加共模抗擾輔助電路,大大提高了傳輸速度和對共模噪聲的抗擾能力。該高速、高共模噪聲抗擾的電平位移電路主要用于驅動增強型GaN的高壓半橋柵驅動。仿真結果顯示該電平位移電路上升沿傳輸延時1.03 ns,下降沿傳輸延時1.15 ns,可承受GaN高壓半橋柵驅動開關節(jié)點SW處電壓浮動50 V/ns。