N摻雜MgZnO薄膜的光電性質(zhì)
作者：趙鵬程; 張振中; 姚斌; 李炳輝; 李賢麗 東北石油大學(xué)電子科學(xué)學(xué)院; 黑龍江大慶163318; 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所發(fā)光學(xué)及應(yīng)用國家重點實驗室; 吉林長春130033; 吉林大學(xué)物理學(xué)院; 吉林長春130023
摘要：ZnO是優(yōu)異的紫外發(fā)光和激光材料,氮被認(rèn)為是p型ZnO和MgZnO的理想受主摻雜劑,但在較低生長溫度下氮的摻入會顯著破壞晶格完整性,使氧化鋅的載流子遷移率進(jìn)一步下降。為了研究N的摻入對MgZnO薄膜的影響,利用分子束外延設(shè)備在藍(lán)寶石襯底上生長了N摻雜的ZnO和MgZnO薄膜。實驗結(jié)果表明,在其他條件完全相同的情況下,當(dāng)Mg源溫度為245℃和255℃時,載流子遷移率會顯著提高,這一現(xiàn)象被歸結(jié)為Mg-N成鍵抑制了氧位上N-N對的形成,緩解了晶格的扭曲。同時當(dāng)Mg源溫度為275℃時,能夠使N摻雜ZnO薄膜中的施主濃度降低一個量級,有利于實現(xiàn)p型摻雜。
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