摘要:提出了一種低電壓CMOS工藝下用于偏置電路中的低漏電流電荷泵電路設計.漏電是輸出紋波的主要來源,引入兩個不同頻率的時鐘,通過控制電荷轉移器件的開關交替動作來抑制反向漏電流.與傳統設計相比,在每級電荷泵單元中增加了兩個額外的MOS管,用于維持電荷泵單元中每個晶體管的襯底電位.詳細分析了時鐘和寄生所引入的非理想效應,并在0.35μm工藝下設計了一款電荷泵電路.仿真結果表明,所提出的9級電荷泵在1.4 V電源電壓下能夠實現13.4 V直流輸出和0.17 mV紋波電壓.這種電荷泵結構具有更好的噪聲性能,可用于給傳感器電路提供穩定的電壓偏置.
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