《Ieee Transactions On Nuclear Science》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:48:50 962人看過
《Ieee Transactions On Nuclear Science》雜志收稿范圍涵蓋工程技術(shù)全領(lǐng)域，此刊是該細(xì)分領(lǐng)域中屬于非常不錯的SCI期刊，在行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大，專業(yè)度認(rèn)可很高，所以對原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高，如果您的文章質(zhì)量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 約3.0個月 ，影響因子指數(shù)1.9。
該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團(tuán)隊會及時為您答疑解惑，提供針對性的建議和解決方案。
出版商聯(lián)系方式：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開放 | 110 | 330 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 16.44% | 1.9 | 0.15... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 99.70% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計
2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| USA | 331 |
| CHINA MAINLAND | 200 |
| France | 185 |
| Italy | 105 |
| Switzerland | 95 |
| Japan | 78 |
| GERMANY (FED REP GER) | 53 |
| South Korea | 44 |
| England | 41 |
| Russia | 37 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| UNITED STATES DEPARTMENT OF ENER... | 105 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 100 |
| VANDERBILT UNIVERSITY | 93 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 80 |
| EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEA... | 76 |
| CEA | 73 |
| ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUC... | 58 |
| UNIVERSITE DE TOULOUSE | 34 |
| UNIVERSITE DE MONTPELLIER | 31 |
| UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFE... | 29 |
近年引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T NUCL SCI | 1985 |
| NUCL INSTRUM METH A | 350 |
| J INSTRUM | 147 |
| APPL PHYS LETT | 112 |
| J APPL PHYS | 102 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 84 |
| NUCL INSTRUM METH B | 60 |
| MED PHYS | 52 |
| MICROELECTRON RELIAB | 50 |
| PHYS MED BIOL | 48 |
近年被引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T NUCL SCI | 1985 |
| NUCL INSTRUM METH A | 1041 |
| PHYS MED BIOL | 365 |
| MICROELECTRON RELIAB | 360 |
| J INSTRUM | 341 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 192 |
| PROG NUCL ENERG | 188 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 168 |
| IEEE ACCESS | 160 |
| SENSORS-BASEL | 159 |
近年文章引用統(tǒng)計：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| Needs, Trends, and Advances in I... | 53 |
| Evolution of Total Ionizing Dose... | 15 |
| Contribution of Thermal Neutrons... | 12 |
| Displacement Damage in Silicon D... | 11 |
| Improvement of the Time Resoluti... | 11 |
| Influence of LDD Spacers and H+ ... | 9 |
| LHC and HL-LHC: Present and Futu... | 9 |
| Thin Silicon Microdosimeter Util... | 9 |
| Luminescence and Scintillation P... | 9 |
| Single-Event Burnout Mechanisms ... | 8 |
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