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Solid-state Electronics

  • ISSN:0038-1101
  • ESSN:1879-2405
  • 國際標準簡稱:SOLID STATE ELECTRON
  • 出版地區:UNITED STATES
  • 出版周期:Monthly
  • 研究方向:物理 - 工程:電子與電氣
  • 出版年份:1960
  • 語言:English
  • 是否OA:未開放
  • 學科領域

    物理與天體物理
  • 中科院分區

    4區
  • JCR分區

    Q3
  • IF影響因子

    1.4
  • 是否預警

期刊簡介

Journal Title:Solid-state Electronics

It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

中文簡介

本期刊旨在將以下領域的新穎和原創工作的優秀論文匯集到一本出版物中:(1)固體物理和技術在電子和光電子學中的應用,包括理論和器件設計;(2)器件的光學、電學和形態表征技術和參數提取;(3)半導體器件的制造以及與器件相關的材料的生長、測量和評估;(4)亞微米和納米級微電子和光電子器件的物理和建模,包括加工、測量和性能評估;(5)數值方法在固態器件和過程的建模和仿真中的應用;(6)基于半導體和替代電子材料的納米級電子和光電子器件、光伏、傳感器和 MEMS;(7)新型器件材料的合成和光電特性。

期刊點評

Solid-state Electronics創刊于1960年,由Elsevier Ltd出版商出版,收稿方向涵蓋物理 - 工程:電子與電氣全領域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所屬細分領域中專業影響力一般,過審相對較易,如果您文章質量佳,選擇此期刊,發表機率較高。平均審稿速度 一般,3-6周 約9.2周,影響因子指數1.4,該期刊近期沒有被列入國際期刊預警名單,廣大學者值得一試。

中科院分區(數據版本:2023年12月升級版)

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 4區 4區 4區

名詞解釋:
中科院分區也叫中科院JCR分區,基礎版分為13個大類學科,然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區,影響因子5%為1區,6%-20%為2區,21%-50%為3區,其余為4區。

中科院分區(數據版本:2022年12月升級版)

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 4區 4區

中科院分區(數據版本:2021年12月舊的升級版)

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 4區 4區

中科院分區(數據版本:2021年12月基礎版)

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 4區 4區 4區

中科院分區(數據版本:2021年12月升級版)

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區 4區 4區

中科院分區(數據版本:2020年12月舊的升級版)

大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 4區 4區 4區

WOS分區(數據版本:2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 259 / 352

26.6%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 138 / 179

23.2%

學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 61 / 79

23.4%

按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 261 / 354

26.41%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 133 / 179

25.98%

學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 54 / 79

32.28%

名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學術信息的重要數據庫,Web of Science包括自然科學、社會科學、藝術與人文領域的信息,來自全世界近9,000種最負盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學術會議多學科內容。給期刊分區時會按照某一個學科領域劃分,根據這一學科所有按照影響因子數值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會在高分區中,最后的劃分結果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質量最高。

CiteScore分區(數據版本:2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore排名
3 0.348 0.655
學科 分區 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q3 419 / 797

47%

大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 245 / 434

43%

大類:Engineering 小類:Materials Chemistry Q3 182 / 317

42%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 169 / 284

40%

名詞解釋:
CiteScore:衡量期刊所發表文獻的平均受引用次數。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經過加權后的期刊受引用次數。引用次數的加權值由施引期刊的學科領域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標準化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學科領域中預期的受引用情況進行衡量。

其他數據

是否OA開放訪問: h-index: 年文章數:
未開放 87 175
Gold OA文章占比: 2021-2022最新影響因子(數據來源于搜索引擎): 開源占比(OA被引用占比):
18.40% 1.4 0.08...
研究類文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) 期刊收錄: 中科院《國際期刊預警名單(試行)》名單:
99.43% SCIE

歷年IF值(影響因子):

歷年引文指標和發文量:

歷年中科院JCR大類分區數據:

歷年自引數據:

發文統計

2023-2024國家/地區發文量統計:

國家/地區 數量
South Korea 131
CHINA MAINLAND 104
France 76
USA 53
GERMANY (FED REP GER) 36
India 24
Spain 21
England 17
Belgium 16
Japan 16

2023-2024機構發文量統計:

機構 數量
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... 55
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE A... 38
UNIVERSITE DE SAVOIE 33
CEA 32
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) 26
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 23
KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY 17
STMICROELECTRONICS 16
POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & T... 12
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... 11

近年引用統計:

期刊名稱 數量
IEEE T ELECTRON DEV 431
IEEE ELECTR DEVICE L 257
APPL PHYS LETT 248
SOLID STATE ELECTRON 207
J APPL PHYS 136
PHYS REV B 106
NATURE 58
SEMICOND SCI TECH 52
PHYS REV LETT 47
THIN SOLID FILMS 43

近年被引用統計:

期刊名稱 數量
IEEE T ELECTRON DEV 384
SOLID STATE ELECTRON 207
J APPL PHYS 199
JPN J APPL PHYS 150
SEMICOND SCI TECH 123
J MATER SCI-MATER EL 111
IEEE J ELECTRON DEVI 105
IEEE ELECTR DEVICE L 96
APPL PHYS LETT 93
MATER RES EXPRESS 84

近年文章引用統計:

文章名稱 數量
Lightweight flexible indium-free... 21
The photovoltaic impact of atomi... 12
Current-voltage analytical model... 11
Low-voltage electric-double-laye... 11
Effect of defect creation and mi... 11
Characterization and modeling of... 10
Improve the performance of CZTSS... 10
A review on terahertz photogalva... 8
Multi-layer WSe2 field effect tr... 8
SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibe... 7

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Applied Physics Letters 3.5 2區
Acs Photonics 6.5 1區
Astrophysical Journal 4.8 2區

更多問題

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