Journal Title:Journal Of Semiconductor Technology And Science
Journal of Semiconductor Technology and Science is published to provide a forum for R&D people involved in every aspect of the integrated circuit technology, i.e., VLSI fabrication process technology, VLSI device technology, VLSI circuit design and other novel applications of this mass production technology. When IC was invented, these people worked together in one place. However, as the field of IC expanded, our individual knowledge became narrower, creating different branches in the technical society, which has made it more difficult to communicate as a whole. The fisherman, however, always knows that he can capture more fish at the border where warm and cold-water meet. Thus, we decided to go backwards gathering people involved in all VLSI technology in one place.
《半導體技術與科學雜志》的出版旨在為參與集成電路技術各個方面的研發人員提供一個論壇,即 VLSI 制造工藝技術、VLSI 設備技術、VLSI 電路設計以及這種大規模生產技術的其他新應用。當 IC 被發明時,這些人在一個地方一起工作。然而,隨著 IC 領域的擴大,我們的個人知識變得越來越狹窄,在技術社會中產生了不同的分支,這使得整體交流變得更加困難。然而,漁夫總是知道他可以在暖水和冷水交匯的邊界捕獲更多的魚。因此,我們決定倒退,將所有參與 VLSI 技術的人員聚集在一個地方。
Journal Of Semiconductor Technology And Science創刊于2001年,由Institute of Electronics Engineers of Korea出版商出版,收稿方向涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC - PHYSICS, APPLIED全領域,此期刊水平偏中等偏靠后,在所屬細分領域中專業影響力一般,過審相對較易,如果您文章質量佳,選擇此期刊,發表機率較高。平均審稿速度 較慢,6-12周 ,影響因子指數0.5,該期刊近期沒有被列入國際期刊預警名單,廣大學者值得一試。
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
名詞解釋:
中科院分區也叫中科院JCR分區,基礎版分為13個大類學科,然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區,影響因子5%為1區,6%-20%為2區,21%-50%為3區,其余為4區。
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 | 4區 4區 | 否 | 否 |
按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 329 / 352 |
6.7% |
學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 175 / 179 |
2.5% |
按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 342 / 354 |
3.53% |
學科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 176 / 179 |
1.96% |
名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學術信息的重要數據庫,Web of Science包括自然科學、社會科學、藝術與人文領域的信息,來自全世界近9,000種最負盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學術會議多學科內容。給期刊分區時會按照某一個學科領域劃分,根據這一學科所有按照影響因子數值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會在高分區中,最后的劃分結果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質量最高。
CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||
0.9 | 0.181 | 0.216 |
|
名詞解釋:
CiteScore:衡量期刊所發表文獻的平均受引用次數。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經過加權后的期刊受引用次數。引用次數的加權值由施引期刊的學科領域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標準化影響將實際受引用情況對照期刊所屬學科領域中預期的受引用情況進行衡量。
是否OA開放訪問: | h-index: | 年文章數: |
未開放 | 15 | 37 |
Gold OA文章占比: | 2021-2022最新影響因子(數據來源于搜索引擎): | 開源占比(OA被引用占比): |
0.00% | 0.5 | 0 |
研究類文章占比:文章 ÷(文章 + 綜述) | 期刊收錄: | 中科院《國際期刊預警名單(試行)》名單: |
97.30% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子):
歷年引文指標和發文量:
歷年中科院JCR大類分區數據:
歷年自引數據:
2023-2024國家/地區發文量統計:
國家/地區 | 數量 |
South Korea | 220 |
CHINA MAINLAND | 14 |
USA | 8 |
India | 5 |
Japan | 3 |
Taiwan | 3 |
Vietnam | 3 |
England | 1 |
Indonesia | 1 |
Iran | 1 |
2023-2024機構發文量統計:
機構 | 數量 |
HANYANG UNIVERSITY | 24 |
HONGIK UNIVERSITY | 21 |
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 17 |
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIE... | 15 |
CHUNGNAM NATIONAL UNIVERSITY | 14 |
KWANGWOON UNIVERSITY | 14 |
SAMSUNG | 14 |
EWHA WOMANS UNIVERSITY | 12 |
SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) | 12 |
SOGANG UNIVERSITY | 10 |
近年引用統計:
期刊名稱 | 數量 |
IEEE J SOLID-ST CIRC | 114 |
IEEE T ELECTRON DEV | 63 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 45 |
IEEE T CIRCUITS-I | 45 |
APPL PHYS LETT | 43 |
PHYS REV B | 33 |
J APPL PHYS | 30 |
IEEE T CIRCUITS-II | 29 |
J SEMICOND TECH SCI | 26 |
IEEE T VLSI SYST | 16 |
近年被引用統計:
期刊名稱 | 數量 |
J SEMICOND TECH SCI | 26 |
J NANOSCI NANOTECHNO | 24 |
MICROMACHINES-BASEL | 17 |
IEEE ACCESS | 13 |
ELECTRONICS-SWITZ | 8 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 8 |
MATER RES EXPRESS | 7 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 6 |
IEEE T ELECTRON DEV | 6 |
JPN J APPL PHYS | 6 |
近年文章引用統計:
文章名稱 | 數量 |
A 4-Channel 8-Gb/s/ch VCSEL Driv... | 4 |
A Watt-level Broadband Power Amp... | 4 |
A 3-Gb/s Equalizer with an Adapt... | 4 |
Gallium Nitride PIN Avalanche Ph... | 3 |
Processing and Characterization ... | 3 |
Investigation on Phase-change Sy... | 3 |
Properties of Resistive Switchin... | 3 |
Xenon Flash Lamp Annealing on a-... | 3 |
Recessed AlGaN/GaN UV Phototrans... | 2 |
Investigation of Wafer Warpage I... | 2 |
同小類學科的其他優質期刊 | 影響因子 | 中科院分區 |
Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區 |
International Journal Of Ventilation | 1.1 | 4區 |
Journal Of Environmental Chemical Engineering | 7.4 | 2區 |
Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區 |
Complexity | 1.7 | 4區 |
Electronics | 2.6 | 3區 |
International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區 |
Aerospace | 2.1 | 3區 |
Buildings | 3.1 | 3區 |
Shock Waves | 1.7 | 4區 |
若用戶需要出版服務,請聯系出版商:RM #907 SCIENCE & TECHNOLOGY NEW BLDG, 635-4 YUCKSAM-DONG, SEOUL, SOUTH KOREA, KANGNAM-KU, 135-703。