《Acs Applied Electronic Materials》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來(lái)源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 11:11:58 1183人看過(guò)
《Acs Applied Electronic Materials》雜志收稿范圍涵蓋材料科學(xué)全領(lǐng)域，此刊是該細(xì)分領(lǐng)域中屬于非常不錯(cuò)的SCI期刊，在行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大，專業(yè)度認(rèn)可很高，所以對(duì)原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高，如果您的文章質(zhì)量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 ，影響因子指數(shù)4.3。
該期刊近期沒有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團(tuán)隊(duì)會(huì)及時(shí)為您答疑解惑，提供針對(duì)性的建議和解決方案。
出版商聯(lián)系方式：AMER CHEMICAL SOC, 1155 16TH ST, NW, WASHINGTON, USA, DC, 20036
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開放訪問(wèn)： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 開放 | -- | 748 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 6.68% | 4.3 | 0.05... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 93.85% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計(jì)
2023-2024國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| CHINA MAINLAND | 253 |
| USA | 156 |
| India | 107 |
| Japan | 90 |
| South Korea | 67 |
| Taiwan | 55 |
| GERMANY (FED REP GER) | 48 |
| England | 37 |
| Australia | 25 |
| Canada | 24 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 61 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 59 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 21 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 20 |
| UNITED STATES DEPARTMENT OF ENER... | 17 |
| NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY | 16 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 16 |
| CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIO... | 13 |
| DEPARTMENT OF SCIENCE & TECHNOLO... | 13 |
| TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY | 13 |
近年文章引用統(tǒng)計(jì)：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| Near-Unity Photoluminescence Qua... | 36 |
| Overestimation of Carrier Mobili... | 21 |
| Prussian Blue-Viologen Inorganic... | 16 |
| Polythiophene-PCBM-Based All-Org... | 16 |
| Role of Antisite Disorder, Rare-... | 16 |
| Highly Rate Capable Nanoflower-l... | 15 |
| Growth Window of Ferroelectric E... | 15 |
| Existence of Resistive Switching... | 14 |
| Direct, One-Step Growth of NiSe2... | 14 |
| High Breakdown Strength Schottky... | 13 |
聲明：以上內(nèi)容來(lái)源于互聯(lián)網(wǎng)公開資料，如有不準(zhǔn)確之處，請(qǐng)聯(lián)系我們進(jìn)行修改。
