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首頁 > 期刊 > 中國光學 > 紫外增強硅基成像探測器進展 【正文】

紫外增強硅基成像探測器進展

作者:張猛蛟; 蔡毅; 江峰; 鐘海政; 王嶺雪 北京理工大學光電學院納米光子學與超精密光電系統北京市重點實驗室; 北京100081; 中國兵器科學研究院; 北京100089; 北京理工大學材料學院; 北京100081; 華東光電集成器件研究所; 江蘇蘇州215163

摘要:硅基紫外成像探測技術具有可靠性好、集成度高、容易大面陣化、成本低等優勢,成為探測領域的重要研究方向。隨著硅半導體工藝的持續進步以及納米科學的發展,利用半導體技術、熒光轉換材料或者低維納米結構來增強硅基探測器的紫外響應取得了長足的進步。本文綜述了國內外硅基紫外增強成像探測器件、系統應用的進展,通過回顧器件發展的歷史和對研究現狀的分析,并結合紫外探測技術在天文物理、生化分析、電暈檢測等領域的應用進展,探討了硅基紫外成像探測技術發展的趨勢和挑戰。

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中國光學雜志

中國光學雜志, 雙月刊,本刊重視學術導向,堅持科學性、學術性、先進性、創新性,刊載內容涉及的欄目:綜述、原創文章等。于2008年經新聞總署批準的正規刊物。

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