《Ieee Electron Device Letters》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來源：優發表網整理 2024-09-18 10:50:41 832人看過
《Ieee Electron Device Letters》雜志收稿范圍涵蓋工程技術全領域，此刊是該細分領域中屬于非常不錯的SCI期刊，在行業細分領域中學術影響力較大，專業度認可很高，所以對原創文章要求創新性較高，如果您的文章質量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 約1.3個月 ，影響因子指數4.1。
該期刊近期沒有被列入國際期刊預警名單，廣大學者值得一試。
具體收稿要求需聯系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團隊會及時為您答疑解惑，提供針對性的建議和解決方案。
出版商聯系方式：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
其他數據
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數： |
| 未開放 | 135 | 477 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數據來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 4.62% | 4.1 | 0.05... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預警名單（試行）》名單： |
| 100.00% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標和發文量：
歷年中科院JCR大類分區數據：
歷年自引數據：
發文統計
2023-2024國家/地區發文量統計：
| 國家/地區 | 數量 |
| CHINA MAINLAND | 577 |
| USA | 282 |
| South Korea | 174 |
| Taiwan | 123 |
| Japan | 65 |
| England | 60 |
| India | 49 |
| Belgium | 37 |
| GERMANY (FED REP GER) | 37 |
| France | 32 |
2023-2024機構發文量統計：
| 機構 | 數量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 84 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 70 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 49 |
| HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE ... | 48 |
| PEKING UNIVERSITY | 42 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... | 42 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 36 |
| IMEC | 35 |
| NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY | 35 |
近年引用統計：
| 期刊名稱 | 數量 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
| APPL PHYS LETT | 812 |
| J APPL PHYS | 318 |
| ADV MATER | 217 |
| NANO LETT | 150 |
| ACS APPL MATER INTER | 142 |
| SCI REP-UK | 138 |
| NATURE | 132 |
| APPL PHYS EXPRESS | 119 |
近年被引用統計：
| 期刊名稱 | 數量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| JPN J APPL PHYS | 594 |
| APPL PHYS LETT | 460 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
| APPL PHYS EXPRESS | 366 |
| SEMICOND SCI TECH | 277 |
| J APPL PHYS | 268 |
| SOLID STATE ELECTRON | 257 |
| ECS J SOLID STATE SC | 249 |
近年文章引用統計：
| 文章名稱 | 數量 |
| Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical ... | 38 |
| An Artificial Neuron Based on a ... | 36 |
| Recessed-Gate Enhancement-Mode b... | 28 |
| Spin Logic Devices via Electric ... | 27 |
| Current Aperture Vertical beta-G... | 27 |
| beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Eff... | 26 |
| Vertical Ga2O3 Schottky Barrier ... | 24 |
| 1.85 kV Breakdown Voltage in Lat... | 24 |
| Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barr... | 23 |
| First Demonstration of a Logic-P... | 22 |
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